단일 채널 전기화학 워크스테이션
이 TOB-CS350M 단일-채널 potentiostat/galvanostat/전기화학 워크스테이션은 DDS 임의 함수 발생기, 고전력 potentiostat/galvanostat, 이중-채널 상관 분석기, 이중-채널 고속-16비트/고-정밀 24비트 AD 변환기 및 확장 인터페이스로 구성됩니다. 최대. 전류는 ±2A, 전위 범위는 ±10V입니다. EIS 주파수 범위는 10uHz~1MHz입니다. 부식, 에너지, 재료, 전기해석 등 다양한 전기화학 분야에 활용 가능합니다. 전류 부스터 CS2020B/CS2040B를 사용하면 전류를 최대 20A/40A까지 높일 수 있습니다.
단일 채널 전기화학 워크스테이션
사양
이 TOB-CS350M 단일-채널 potentiostat/galvanostat/전기화학 워크스테이션은 DDS 임의 함수 발생기, 고전력 potentiostat/galvanostat, 이중-채널 상관 분석기, 이중-채널 고속-16비트/고-정밀 24비트 AD 변환기 및 확장 인터페이스로 구성됩니다. 최대. 전류는 ±2A, 전위 범위는 ±10V입니다. EIS 주파수 범위는 10uHz~1MHz입니다. 부식, 에너지, 재료, 전기해석 등 다양한 전기화학 분야에 활용 가능합니다. 전류 부스터 CS2020B/CS2040B를 사용하면 전류를 최대 20A/40A까지 높일 수 있습니다.
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명세서 |
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2, 3, 4전극 시스템 지원 |
전위 및 전류 범위: 자동 |
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전위 제어 범위: ±10V |
전류 제어 범위: ±2A |
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잠재적인 제어 정확도: 0.1%×전체 범위±1mV |
전류 제어 정확도: 0.1%×전 범위 |
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Potential resolution: 10μV (>100Hz),3μV(<10Hz) |
전류 감도: 1pA |
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상승 시간:<1μs (<10mA), <10μs (<2A) |
기준 전극 입력 임피던스:1012Ω||20pF |
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전류 범위: 2nA~2A, 10개 범위 |
규정 준수 전압: ±21V |
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최대 전류 출력: 2A |
CV 및 LSV 스캔 속도: 0.001mV~10,000V/s |
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CA 및 CC 펄스 폭: 0.0001~65,000s |
스캔 중 전류 증가: 1mA@1A/ms |
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스캔 중 잠재적 증가: 0.076mV@1V/ms |
SWV 주파수: 0.001~100kHz |
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DPV 및 NPV 펄스 폭: 0.0001~1000s |
광고 데이터 수집: 16bit@1MHz,20bit@1kHz |
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DA 해상도:16bit, 설정 시간:1μs |
CV의 최소 전위 증가: 0.075mV |
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IMP 주파수: 10μHz~1MHz |
저-통과 필터: 80년을 포괄 |
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운영 체제: 윈도우 10/11 |
인터페이스: USB 2.0 |
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무게/치수: 6.5kg, 36.5 x 30.5 x16 cm |
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EIS(전기화학적 임피던스 분광학) |
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신호 발생기 |
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주파수 범위: 10μHz~1MHz |
AC 진폭: 1mV~2500mV |
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DC 바이어스: -10~+10V |
출력 임피던스: 50Ω |
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파형: 사인파, 삼각파 및 구형파 |
웨이브 왜곡:<1% |
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스캐닝 모드: 로그/선형, 증가/감소 |
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신호 분석기 |
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적분 시간: 최소: 10ms 또는 주기의 가장 긴 시간 |
최대: 106사이클 또는 105초 |
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측정 지연: 0~105s |
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DC 오프셋 보상 |
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잠재적인 자동 보상 범위: -10V~+10V |
전류 보상 범위: -1A~+1A |
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대역폭: 80년 주파수 범위, 자동 및 수동 설정 |
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기술- 모델 비교
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기법 |
TOB-CS300M EIS 없음 |
TOB-CS310M EIS와 함께 |
TOB-CS350M EIS와 함께 |
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안정된 편파 |
개방 회로 전위(OCP) |
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정전위(i-t 곡선) |
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정전류 |
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전위역학(Tafel 플롯) |
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갈바노다이나믹 |
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과도 분극 |
다중-잠재적 단계 |
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다중-전류 단계 |
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잠재적 계단-단계(VSTEP) |
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갈바닉 계단-단계(ISTEP) |
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크로노 방식 |
시간전위차법(CP) |
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시간전류측정법(CA) |
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시간측정법(CC) |
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전압전류법 |
순환전압전류법(CV) |
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선형 스위프 전압전류법(LSV)(i-v) |
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계단 전압전류법(SCV) # |
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구형파 전압전류법(SWV) # |
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시차 펄스 전압 전류법(DPV)# |
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정상 펄스 전압 전류법(NPV)# |
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DNPV(시차 정상 펄스 전압전류법)# |
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AC 전압전류법(ACV) # |
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EIS |
정전위 EIS(Nyquist, Bode) |
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정전류 EIS |
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정전위 EIS(옵션 주파수) |
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정전류 EIS(옵션 주파수) |
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모트-쇼트키 |
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정전위 EIS 대 시간(단일 주파수) |
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정전류 EIS 대 시간(단일 주파수) |
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부식 측정 |
순환 편파 곡선(CPP) |
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선형편파곡선(LPR) |
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전기화학적 전위차 재활성화(EPR) |
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전기화학적 소음(EN) |
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제로 저항 전류계(ZRA) |
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배터리 테스트 |
배터리 충전 및 방전 |
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정전류 충전 및 방전(GCD) |
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정전위 충전 및 방전(PCD) |
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정전위 간헐적정법(PITT) |
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정전류 간헐적정법(GITT) |
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전류측정법 |
시차 펄스 전류 측정법(DPA) |
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DDPA(이중 미분 펄스 전류법) |
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삼중 펄스 전류측정법(TPA) |
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통합 펄스 전류 측정 감지(IPAD) |
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# 해당 스트리핑 방법이 있습니다.
애플리케이션
부식:테스터에는 OCP, 분극 곡선(전위역학), EIS, 순환 분극 CPP(부동태 곡선), 전기화학적 전위차 반응(EPR), 수소 확산 시험, ZRA, 전기화학적 소음 등 부식 측정을 위한 모든 전기화학적 기술이 포함되어 있습니다. 금속 부식 메커니즘 및 내식성을 연구하고 코팅 내구성 및 희생 양극 전류 효율을 평가하는 데 사용할 수 있습니다. 또한 부식 억제제, 살균제 등의 신속한 스크리닝에도 사용할 수 있습니다.
왼쪽: 3%NaCl 용액에서 Ti-합금 및 스테인리스강의 분극 곡선
오른쪽: 0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3의 저{0}}탄소강 EN
상관 적분 알고리즘과 이중{0}}채널 오버- 샘플링 기술을 사용하며 강력한 -간섭 방지 기능을 갖추고 있습니다. 장비의 내부 저항은 최대 1013Ω입니다. 높은-임피던스 시스템(예: 코팅, 콘크리트 등)의 EIS 측정에 적합합니다.
고임피던스 코팅의 염수 분무 노화 시험
에너지
LSV, CV, 정전류 충전 및 방전(GCD), 정전위/전류 EIS 및 정밀 IR 보상 회로를 갖춘 Corrtest 전위차계는 슈퍼커패시터, 리튬{0}}이온 배터리, 나트륨{1}}이온 배터리, 연료 전지, 리튬{2}}S 배터리, 태양 전지, 고체-상태 배터리, 플로우 배터리, 금속{4}}공기 배터리 등에 널리 사용됩니다. 이는 연구자들에게 탁월한 과학 도구입니다. 에너지, 소재 분야.
0.5 mol/L H2SO4 용액에서 PPy 슈퍼커패시터의 CV 곡선
전기분석
Corrtest potentiostat에는 NPV, DNPV, SWV, ACV 등 모든 전압전류법이 포함되어 있으며 용액 내 미량 원소를 빠르게 분석하는 데 사용할 수 있습니다. 전압전류법 스트리핑 방법은 스트리핑 피크 전류에 따라 정량 분석을 수행할 수 있습니다.
다양한 Pb2+, Cd 2+,Zn2+ 농도의 용액에서 스트리핑 전압전류 곡선
전기-촉매
정확한 전위차계는 촉매의 반-파전위(ORR), 과전위(HER, OER)를 측정할 수 있으며 피크 전력 밀도 및 에너지 밀도 계산 기능을 갖습니다.
순환 전압전류법, 정전위법, 정전류법과 같은 기술을 사용하여 ORR, OER, HER, CO2RR에 대한 장기-주기적 측정을 수행합니다. 패러데이 효율은 bipotentiostat로 측정할 수 있습니다.
최대 전류는 20A, 컴플라이언스 전압은 30V가 가능하며 IR 보상 기술을 통해 Corrtest potentiostat는 전극의 과전위를 정확하게 측정할 수 있으며 이는 전기촉매 분야에서 큰 장점입니다.
알칼리 용액에서 촉매의 LSV 곡선
소프트웨어 기능
순환 전압전류법:CS 스튜디오 소프트웨어는 사용자에게 CV 곡선의 피크 높이, 피크 면적 및 피크 전위 계산을 완료할 수 있는 다양한 평활화/미분/통합 키트를 제공합니다. CV 기법에는 데이터 분석 중에 표시할 정확한 주기를 선택하는 기능이 있습니다.
Tafel 플롯 및 부식률:CS studio는 또한 Butler-Volmer 편파 곡선 방정식에 대한 강력한 비선형 피팅을 제공합니다. Tafel 기울기, 부식 전류 밀도, 제한 전류, 분극 저항, 부식 속도를 계산할 수 있습니다. 또한 EN 측정을 기반으로 전력 스펙트럼 밀도, 잡음 저항 및 잡음 스펙트럼 저항을 계산할 수도 있습니다.
배터리 테스트 및 분석:
- 충방전 효율, 용량, 비정전용량, 충방전 에너지.
EIS 분석:보드, 나이퀴스트, 모트-쇼트키 플롯
- EIS 데이터 분석 중에 맞춤형 등가 회로를 그릴 수 있는 피팅 기능이 내장되어 있습니다.-
표준 공급-단일-채널 전위차계
- 악기 호스트
- CS 스튜디오 소프트웨어
- 전원 케이블 x1
- USB 케이블 x1
- 세포/전극 케이블 x2
- 더미 셀(1kΩ||100μF) x1
- 수동
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